Jahziah.
English

دليل المراجعة · GKU 1

دليل مراجعة الدوائر والإلكترونيات (هندسة الحاسب)

كل بوابة منطقية دائرة، وكل دائرة تخضع للقوانين القليلة نفسها. النصف الأول من هذه الوحدة تحليل للدوائر: قانونا أوم وكيرشوف، ومكافئا ثيفينين ونورتون، وتحليل العقد والحلقات، وسلوك المكثفات والملفات مع الزمن ومع التردد — وهو سبب تأخر الإشارة في السلك وانحدار حافة الساعة. أما النصف الثاني فيدخل إلى داخل العناصر: كيف يحول التطعيم السيليكون إلى موصل من نوع مختار، وكيف تقوّم وصلة p-n التيار، وكيف يضخم الترانزستور ثنائي القطبية أو يعمل مفتاحاً، وكيف يكوّن ترانزستورا MOSFET عاكس CMOS الذي تحدد هوامش ضجيجه وقدرة تبديله حدود التصميم الرقمي.

تابع في التطبيق

مبني على المعيار التخصصي الرسمي لهيئة تقويم التعليم والتدريب لهذا الموضوع: كل موضوع مُدرج وكل مخرج تعلّم، مع المعادلات والأشكال والأمثلة المحلولة. الأقسام الكاملة متاحة للأعضاء في التطبيق.

SKU 1.1 · الأساسيات الكهربائية والتحليل

  1. الكميات الكهربائية وعناصر الدائرة وقانون أوم

    الشحنة والتيار والجهد والقدرة والطاقة؛ وقوانين المقاومة والمكثف والملف؛ وقانون أوم بصيغ القدرة؛ وصيغ التوالي والتوازي والمقسمات؛ واختيار مقاومة مناسبة.

  2. قانونا كيرشوف ومكافئا ثيفينين ونورتون

    قانونا كيرشوف للتيار والجهد بوصفهما حفظاً للشحنة والطاقة، واختزال أي شبكة خطية ذات طرفين إلى مكافئ ثيفينين أو نورتون، والحمل الذي يسحب أقصى قدرة.

  3. تحليل الحلقات وتحليل العقد

    طرق منهجية للدوائر التي لا تُختزل: جهود العقد بقانون التيار، وتيارات الحلقات بقانون الجهد، وكيفية الاختيار بينهما، والتحقق من الحل اليدوي بمحاكي دوائر.

  4. المكثفات والملفات مع الزمن والتردد

    استجابة دائرتي RC وRL للخطوة والثابت الزمني؛ والمفاعلة والطور وكيف يغيّر التردد سلوك المكثف والملف؛ وتصميم مرشح RC بسيط والتحقق منه بالمحاكاة.

SKU 1.2 · دوائر الترانزستور الأساسية

  1. أشباه الموصلات: الحاملات والتطعيم والتوصيل

    الإلكترونات والفجوات، والسيليكون النقي والمطعّم، والمانحات والمستقبلات، وقانون فعل الكتلة، والموصلية والمقاومية، وتيارا الانجراف والانتشار المرتبطان بعلاقة أينشتاين.

  2. صمام وصلة p-n الثنائي: الانحياز والمنحنى المميز والنماذج

    كيف تكوّن وصلة p-n منطقة استنزاف، والانحياز الأمامي والعكسي، والقانون الأسّي للتيار والجهد، والانهيار، والنماذج المثالية والهبوط الثابت والإشارة الصغيرة مع حدودها.

  3. الترانزستورات ثنائية القطبية: مضخماً ومفتاحاً

    بنية الترانزستور NPN وPNP وتياراته، ومناطق التشغيل الأربع، ومنحنى النقل لترانزستور مع مقاومة حمل، وكيف يُستخدم العنصر نفسه مضخماً ومفتاحاً.

  4. ترانزستورات MOSFET وعاكس CMOS

    مناطق MOSFET الثلاث وقانونه التربيعي، وMOSFET مفتاحاً، وكيف يكوّن ترانزستورا NMOS وPMOS عاكس CMOS، والمستويات المنطقية وهوامش الضجيج، ولماذا تزداد قدرة التبديل مع .

أدلة أخرى في هندسة الحاسب

كل أدلة المراجعة

اقرأ الدليل كاملاً بجانب أسئلة تدريبك.

افتح التطبيق